LED ve GaN Cihaz Üretimi için 12 İnç Safir Wafer

12 inç safir gofretler, gelişmiş yarı iletken ve optoelektronik uygulamalar için üretilen ultra büyük çaplı tek kristal safir alt tabakalardır. Geleneksel 2-6 inç safir gofretlerle karşılaştırıldığında, 12 inç safir gofretler üretim verimliliğini, malzeme kullanımını ve cihaz homojenliğini önemli ölçüde artırarak onları yeni nesil LED, güç elektroniği ve gelişmiş paketleme teknolojileri için ideal bir seçim haline getirir.

Category

Ürüne Genel Bakış

12 inç safir gofretler, gelişmiş yarı iletken ve optoelektronik uygulamalar için üretilen ultra büyük çaplı tek kristal safir alt tabakalardır. Geleneksel 2-6 inç safir gofretlerle karşılaştırıldığında, 12 inç safir gofretler üretim verimliliğini, malzeme kullanımını ve cihaz homojenliğini önemli ölçüde artırarak onları yeni nesil LED, güç elektroniği ve gelişmiş paketleme teknolojileri için ideal bir seçim haline getirir.

12 inç safir gofretlerimiz, gelişmiş kristal büyütme yöntemleriyle büyütülen yüksek saflıkta Al₂O₃ tek kristallerden üretilir, ardından hassas dilimleme, lepleme, parlatma ve sıkı kalite denetimi yapılır. Gofretler mükemmel yüzey düzlüğü, düşük kusur yoğunluğu ve yüksek optik ve mekanik stabiliteye sahip olup geniş alanlı cihaz üretiminin zorlu gereksinimlerini karşılamaktadır.


Malzeme Özellikleri

Safir (tek kristalli alüminyum oksit, Al₂O₃) olağanüstü fiziksel ve kimyasal özellikleriyle tanınır. 12 inç safir gofretler, safir malzemenin tüm avantajlarına sahip olmakla birlikte çok daha geniş bir kullanılabilir yüzey alanı sağlar.

Temel malzeme özellikleri şunlardır:

  • Son derece yüksek sertlik ve aşınma direnci

  • Mükemmel termal stabilite ve yüksek erime noktası

  • Asitlere ve alkalilere karşı üstün kimyasal direnç

  • UV'den IR dalga boylarına kadar yüksek optik şeffaflık

  • Mükemmel elektrik yalıtım özellikleri

Bu özellikler, 12 inç safir gofretleri zorlu işleme ortamları ve yüksek sıcaklıktaki yarı iletken üretim süreçleri için uygun hale getirir.


Üretim Süreci

12 inç safir gofretlerin üretimi, gelişmiş kristal büyütme ve ultra hassas işleme teknolojileri gerektirir. Tipik üretim süreci şunları içerir:

  1. Tek Kristal Büyümesi
    Yüksek saflıkta safir kristaller, KY veya diğer büyük çaplı kristal büyütme teknolojileri gibi gelişmiş yöntemler kullanılarak büyütülür ve tek tip kristal oryantasyonu ve düşük iç gerilim sağlanır.

  2. Kristal Şekillendirme ve Dilimleme
    Safir külçe, yüzey altı hasarı en aza indirmek için yüksek hassasiyetli kesme ekipmanı kullanılarak hassas bir şekilde şekillendirilir ve 12 inçlik gofretler halinde dilimlenir.

  3. Lepleme ve Parlatma
    Mükemmel yüzey pürüzlülüğü, düzlük ve kalınlık homojenliği elde etmek için çok adımlı lepleme ve kimyasal mekanik parlatma (CMP) işlemleri uygulanır.

  4. Temizlik ve Denetim
    Her 12 inç safir gofret, yüzey kalitesi, TTV, eğim, çarpıklık ve kusur analizi dahil olmak üzere kapsamlı temizlik ve sıkı denetimden geçirilir.


Uygulamalar

12 inç safir gofretler, aşağıdakiler de dahil olmak üzere gelişmiş ve gelişmekte olan teknolojilerde yaygın olarak kullanılmaktadır:

  • Yüksek güçlü ve yüksek parlaklıkta LED substratlar

  • GaN tabanlı güç cihazları ve RF cihazları

  • Yarı iletken ekipman taşıyıcı ve yalıtkan alt tabakalar

  • Optik pencereler ve geniş alanlı optik bileşenler

  • Gelişmiş yarı iletken paketleme ve özel proses taşıyıcıları

Geniş çap, seri üretimde daha yüksek verim ve gelişmiş maliyet verimliliği sağlar.


12 İnç Safir Gofretlerin Avantajları

  • Yonga plakası başına daha yüksek cihaz çıktısı için daha geniş kullanılabilir alan

  • Geliştirilmiş süreç tutarlılığı ve tekdüzelik

  • Yüksek hacimli üretimde cihaz başına daha düşük maliyet

  • Büyük boyutlu kullanım için mükemmel mekanik dayanım

  • Farklı uygulamalar için özelleştirilebilir özellikler


Özelleştirme Seçenekleri

Aşağıdakiler dahil olmak üzere 12 inç safir gofretler için esnek özelleştirme sunuyoruz:

  • Kristal yönelimi (C-düzlemi, A-düzlemi, R-düzlemi, vb.)

  • Kalınlık ve çap toleransı

  • Tek taraflı veya çift taraflı parlatma

  • Kenar profili ve pah tasarımı

  • Yüzey pürüzlülüğü ve düzlük gereksinimleri

Parametre Şartname Notlar
Gofret Çapı 12 inç (300 mm) Standart geniş çaplı gofret
Malzeme Tek kristalli Safir (Al₂O₃) Yüksek saflıkta, elektronik/optik sınıf
Kristal Yönlendirme C düzlemi (0001), A düzlemi (11-20), R düzlemi (1-102) Opsiyonel oryantasyonlar mevcuttur
Kalınlık 430-500 μm İstek üzerine özel kalınlık temin edilebilir
Kalınlık Toleransı ±10 μm Gelişmiş cihazlar için sıkı tolerans
Toplam Kalınlık Değişimi (TTV) ≤10 μm Yonga plakası boyunca eşit işleme sağlar
Yay ≤50 μm Tüm gofret üzerinde ölçülmüştür
Çözgü ≤50 μm Tüm gofret üzerinde ölçülmüştür
Yüzey İşlemi Tek tarafı cilalı (SSP) / Çift tarafı cilalı (DSP) Yüksek optik kaliteli yüzey
Yüzey Pürüzlülüğü (Ra) ≤0,5 nm (parlatılmış) Epitaksiyel büyüme için atomik düzeyde pürüzsüzlük
Kenar Profili Pah / Yuvarlatılmış kenar Taşıma sırasında ufalanmayı önlemek için
Oryantasyon Doğruluğu ±0.5° Uygun epitaksiyel katman büyümesini sağlar
Kusur Yoğunluğu <10 cm-² Optik muayene ile ölçülmüştür
Düzlük ≤2 μm / 100 mm Düzgün litografi ve epitaksiyel büyüme sağlar
Temizlik Sınıf 100 - Sınıf 1000 Temiz oda uyumlu
Optik İletim >85% (UV-IR) Dalga boyuna ve kalınlığa bağlıdır

12 İnç Safir Gofret SSS

S1: 12 inçlik bir safir gofretin standart kalınlığı nedir?
C: Standart kalınlık 430 μm ile 500 μm arasında değişmektedir. Müşteri gereksinimlerine göre özel kalınlıklar da üretilebilir.

S2: 12 inç safir gofretler için hangi kristal yönelimleri mevcuttur?
C: C-düzlemi (0001), A-düzlemi (11-20) ve R-düzlemi (1-102) yönelimleri sunuyoruz. Diğer yönelimler özel cihaz gereksinimlerine göre özelleştirilebilir.

S3: Gofretin toplam kalınlık değişimi (TTV) nedir?
C: 12 inç safir gofretlerimiz tipik olarak ≤10 μm TTV'ye sahiptir ve yüksek kaliteli cihaz üretimi için tüm gofret yüzeyinde homojenlik sağlar.

Değerlendirmeler

Henüz değerlendirme yapılmadı.

“12 Inch Sapphire Wafer for LED and GaN Device Manufacturing” için yorum yapan ilk kişi siz olun

E-posta adresiniz yayınlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir