Produktübersicht
12-Zoll-Saphir-Wafer sind einkristalline Saphir-Substrate mit ultragroßem Durchmesser, die für moderne Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen hergestellt werden. Im Vergleich zu herkömmlichen 2-6-Zoll-Saphir-Wafern verbessern 12-Zoll-Saphir-Wafer die Produktionseffizienz, die Materialausnutzung und die Gleichmäßigkeit der Bauelemente erheblich, was sie zu einer idealen Wahl für die nächste Generation von LEDs, Leistungselektronik und fortschrittlichen Gehäusetechnologien macht.
Unsere 12-Zoll-Saphir-Wafer werden aus hochreinen Al₂O₃-Einkristallen hergestellt, die mit fortschrittlichen Kristallzüchtungsmethoden gezüchtet werden, gefolgt von Präzisionsschneiden, Läppen, Polieren und strenger Qualitätskontrolle. Die Wafer zeichnen sich durch eine hervorragende Oberflächenebenheit, eine geringe Defektdichte und eine hohe optische und mechanische Stabilität aus und erfüllen die strengen Anforderungen für die Herstellung großflächiger Geräte.
Materialeigenschaften
Saphir (einkristallines Aluminiumoxid, Al₂O₃) ist für seine hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften bekannt. 12-Zoll-Saphir-Wafer bieten alle Vorteile des Saphirmaterials und gleichzeitig eine viel größere nutzbare Oberfläche.
Zu den wichtigsten Materialeigenschaften gehören:
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Extrem hohe Härte und Verschleißfestigkeit
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Ausgezeichnete thermische Stabilität und hoher Schmelzpunkt
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Hervorragende chemische Beständigkeit gegen Säuren und Laugen
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Hohe optische Transparenz von UV- bis IR-Wellenlängen
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Ausgezeichnete elektrische Isolationseigenschaften
Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sich 12-Zoll-Saphir-Wafer für raue Verarbeitungsumgebungen und Hochtemperatur-Halbleiterfertigungsprozesse.
Herstellungsprozess
Die Herstellung von 12-Zoll-Saphir-Wafern erfordert fortschrittliche Kristallzucht- und Ultrapräzisionsverarbeitungstechnologien. Der typische Herstellungsprozess umfasst:
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Einkristallzüchtung
Hochreine Saphirkristalle werden mit fortschrittlichen Methoden wie dem KY-Verfahren oder anderen Technologien zur Züchtung von Kristallen mit großem Durchmesser gezüchtet, die eine gleichmäßige Kristallorientierung und geringe innere Spannungen gewährleisten. -
Kristallformen und Schneiden
Der Saphirblock wird präzise geformt und mit Hilfe von hochpräzisen Schneidegeräten in 12-Zoll-Wafer geschnitten, um die Beschädigung des Untergrunds zu minimieren. -
Läppen und Polieren
Durch mehrstufiges Läppen und chemisch-mechanisches Polieren (CMP) wird eine hervorragende Oberflächenrauheit, Ebenheit und Dickengleichmäßigkeit erreicht. -
Reinigung und Inspektion
Jeder 12-Zoll-Saphir-Wafer wird gründlich gereinigt und einer strengen Prüfung unterzogen, einschließlich Oberflächenqualität, TTV, Krümmung, Verformung und Fehleranalyse.
Anwendungen
12-Zoll-Saphir-Wafer finden breite Anwendung in fortschrittlichen und neuen Technologien, wie z. B:
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LED-Substrate mit hoher Leistung und großer Helligkeit
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GaN-basierte Leistungsbauelemente und RF-Bauelemente
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Träger und isolierende Substrate für Halbleiteranlagen
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Optische Fenster und großflächige optische Komponenten
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Fortschrittliches Halbleiter-Packaging und spezielle Prozessträger
Der große Durchmesser ermöglicht einen höheren Durchsatz und eine verbesserte Kosteneffizienz in der Massenproduktion.
Vorteile von 12-Zoll-Saphir-Wafern
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Größere nutzbare Fläche für höheren Geräteausstoß pro Wafer
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Verbesserte Prozesskonsistenz und Einheitlichkeit
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Geringere Kosten pro Gerät bei Großserienproduktion
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Hervorragende mechanische Festigkeit für die Handhabung von Großformaten
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Anpassbare Spezifikationen für verschiedene Anwendungen
Anpassungsoptionen
Wir bieten flexible Anpassungen für 12-Zoll-Saphir-Wafer, einschließlich:
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Kristallorientierung (C-Ebene, A-Ebene, R-Ebene, usw.)
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Toleranz bei Dicke und Durchmesser
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Einseitiges oder beidseitiges Polieren
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Kantenprofil und Fasengestaltung
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Anforderungen an die Oberflächenrauhigkeit und -ebenheit
| Parameter | Spezifikation | Anmerkungen |
|---|---|---|
| Wafer-Durchmesser | 12 Zoll (300 mm) | Standard-Wafer großen Durchmessers |
| Material | Einkristalliner Saphir (Al₂O₃) | Hochreine, elektronische/optische Qualität |
| Kristall-Ausrichtung | C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20), R-Ebene (1-102) | Optionale Ausrichtungen verfügbar |
| Dicke | 430-500 μm | Kundenspezifische Stärken auf Anfrage erhältlich |
| Dicken-Toleranz | ±10 μm | Enge Toleranz für fortschrittliche Geräte |
| Gesamtdickenabweichung (TTV) | ≤10 μm | Sorgt für eine gleichmäßige Verarbeitung auf dem Wafer |
| Bogen | ≤50 μm | Gemessen über den gesamten Wafer |
| Warp | ≤50 μm | Gemessen über den gesamten Wafer |
| Oberflächenbehandlung | Einseitig poliert (SSP) / Beidseitig poliert (DSP) | Hohe optische Qualität der Oberfläche |
| Oberflächenrauhigkeit (Ra) | ≤0,5 nm (poliert) | Glattheit auf atomarer Ebene für epitaktisches Wachstum |
| Kantenprofil | Fase / Abgerundete Kante | Um ein Absplittern bei der Handhabung zu verhindern |
| Orientierungsgenauigkeit | ±0.5° | Gewährleistet das richtige Wachstum der Epitaxieschichten |
| Defekt-Dichte | <10 cm-² | Gemessen durch optische Inspektion |
| Ebenheit | ≤2 μm / 100 mm | Sorgt für gleichmäßige Lithografie und epitaktisches Wachstum |
| Sauberkeit | Klasse 100 - Klasse 1000 | Reinraumtauglich |
| Optische Übertragung | >85% (UV-IR) | Abhängig von der Wellenlänge und der Dicke |
12-Zoll-Saphir-Waffel FAQ
Q1: Was ist die Standarddicke eines 12-Zoll-Saphirwafers?
A: Die Standarddicke reicht von 430 μm bis 500 μm. Kundenspezifische Dicken können auch nach Kundenwunsch hergestellt werden.
F2: Welche Kristallausrichtungen sind für 12-Zoll-Saphir-Wafer erhältlich?
A: Wir bieten die Ausrichtungen C-Ebene (0001), A-Ebene (11-20) und R-Ebene (1-102) an. Andere Ausrichtungen können je nach den spezifischen Geräteanforderungen angepasst werden.
F3: Wie hoch ist die Gesamtdickenvariation (TTV) des Wafers?
A: Unsere 12-Zoll-Saphir-Wafer haben in der Regel eine TTV von ≤10 μm, was eine gleichmäßige Verteilung über die gesamte Wafer-Oberfläche für die Herstellung hochwertiger Bauelemente gewährleistet.
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